一、配置鋁合金箱體，鋁塑板面板， 12V開關(guān)電源，110V開關(guān)電源，頻率可調(diào)高頻信號發(fā)生器，IGBT管，MOS管，普通三極管，電機，開關(guān)，交流接觸器，電源線，電壓表，電流表，頻率表，用電器，三極管MOS管插座，各種不同數(shù)值的保險絲管，8格器件盒。二、功能1.IGBT高頻特性試驗——通過高頻信號發(fā)生器，同時給IGBT管的柵極G和普通三極管的基極B加控制信號，發(fā)射極E接地，集電極C加一上拉電阻，用雙通
一、配置
鋁合金箱體，鋁塑板面板， 12V開關(guān)電源，110V開關(guān)電源，頻率可調(diào)高頻信號發(fā)生器，IGBT管，MOS管，普通三極管，電機，開關(guān)，交流接觸器，電源線，電壓表，電流表，頻率表，用電器，三極管MOS管插座，各種不同數(shù)值的保險絲管，8格器件盒。
二、功能
1.IGBT高頻特性試驗——通過高頻信號發(fā)生器，同時給IGBT管的柵極G和普通三極管的基極B加控制信號，發(fā)射極E接地，集電極C加一上拉電阻，用雙通道示波器同時觀測基極B和集電極C信號波形，從低到高逐步增大信號頻率，觀測輸入輸出波形什么時候開始有不同步現(xiàn)象，分別記錄下IGBT管和普通三極管或者MOS管的不同步時的頻率數(shù)值。對于實驗數(shù)據(jù)進行比較，可以得出結(jié)論：IGBT有高頻適應特性。
2.IGBT大電流特性——通過給IGBT柵極B加一個小電流低電壓控制信號，控制IGBT管導通和切斷，發(fā)射極接地，集電極通過+12V電源和保險絲連接一個電機，IGBT管導通，電機運轉(zhuǎn)，IGBT管截止，電機停止運轉(zhuǎn)。觀察此時流過電機的電流大小，做記錄。然后用同樣的方法和步驟，用普通三極管或者MOS管替代IGBT管，觀察電機運轉(zhuǎn)情況，同時記錄下電機停轉(zhuǎn)的電流值。比較不同管子的實驗數(shù)據(jù)和電機運轉(zhuǎn)情況，得出結(jié)論，IGBT有大電流適應特性。
3.IGBT高電壓特性——給IGBT柵極G加一個小電流低電壓控制信號，控制IGBT管導通和切斷，發(fā)射極接地，集電極通過110V開關(guān)電源和保險絲連接一個用電器，觀察用電器和IGBT管工作情況。用普通三極管或者MOS管替代IGBT管，觀察用電器盒三極管情況，同時記錄下現(xiàn)象。比較不同管子的實驗現(xiàn)象和電機運轉(zhuǎn)情況，得出結(jié)論，IGBT有高電壓適應特性。
三、技術(shù)參數(shù)
1.箱體長×寬×高：435×325×200mm；
2.工作電壓：AC220V DC12V DC110V
3.重量：約5KG
